CSD19536KTT
- TI
- China
- 21+/22+
- 5000~50000
1, super große EMS-Fabrikversorgung, die besten Lagerbedingungen;
2, die ursprüngliche Fabrik hat den ursprünglichen Standard (das ganze Paket) nicht geöffnet, die Qualität wird garantiert;
3, nicht spezielle Kontrollmaterialien können nicht lackiert werden;
4, die Produkte des letzten Jahres, verfügbar für eine Vielzahl von knappen Materialien;
| Produkteigenschaft | Attributwert | Attribut auswählen |
|---|---|---|
| Texas-Instrumente | ||
| Produktkategorie: | MOSFET | |
| RoHS: | Einzelheiten | |
| Und | ||
| SMD/SMT | ||
| TO-263-3 | ||
| N-Kanal | ||
| 1 Kanal | ||
| 100 V | ||
| 272 A | ||
| 2,4 mOhm | ||
| - 20 Volt, + 20 Volt | ||
| 2,1 V | ||
| 118 nC | ||
| - 55 C | ||
| + 175 C | ||
| 375W | ||
| Erweiterung | ||
| NexFET | ||
| CSD19536KTT | ||
| Spule | ||
| Klebeband schneiden | ||
| MausReel | ||
| Marke: | Texas-Instrumente | |
| Aufbau: | Einzel | |
| Abfallzeit: | 6 ns | |
| Vorwärtstranskonduktanz - Min.: | 329 S | |
| Höhe: | 4,7 mm | |
| Länge: | 9,25mm | |
| Feuchtigkeitsempfindlich: | Ja | |
| Produktart: | MOSFET | |
| Anstiegszeit: | 8 ns | |
| 500 | ||
| Unterkategorie: | MOSFETs | |
| Transistortyp: | 1 N-Kanal | |
| Typische Ausschaltverzögerungszeit: | 32 ns | |
| Typische Einschaltverzögerungszeit: | 13 ns | |
| Breite: | 10,26mm | |
| Gewichtseinheit: | 0,077603 oz |
